Изучение электронного и атомного строения нанослоев Al2О3 при контакте с TiN и диэлектриков на основе SiO2

CC BY-NC - Creative Commons Attribution NonCommercial 4.0 International

RAI : 20.500.11925/1311232
Дата публикации: 11.09.2018
Дата публикации в реестре: 2018-11-09
Дата последнего обновления: 11.09.2018



Правообладатель:
Конашук Алексей Сергеевич

Описание:
Диссертационная работа посвящена изучению перераспределения состояний валентной зоны и зоны проводимости Al2O3 и диэлектриков на основе SiO2 при изменении, соответственно, симметрии ближайшего окружения центрального атома и электроотрицательности окружения, а также строения и протяженности межфазовой границы между γ-Al2O3 и TiN. Нанопленки Al2O3 в различных кристаллических фазах и диэлектрики на основе SiO2 изучались с помощью рентгеновской спектроскопии поглощения и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Экспериментально изучались факторы, влияющие на формирование состояний валентной зоны и зоны проводимости разно модифицированного SiO2 и разных кристаллических фаз Al2O3, также факторы, влияющие на формирование межфазовой границы Al2O3/TiN. Было установлено, что последовательная модификация структуры SiO2 не влияет на положение дна зоны проводимости, а вызывает смещение потолка валентной зоны на 0.7-1 эВ в сторону меньших энергий связи. Изменение ширины запрещенной зоны Al2O3 при увеличении относительного количества октаэдрических координаций атома алюминия происходит главным образом за счет смещения дна зоны проводимости в сторону больших энергий, смещение потолка валентной зоны незначительно. Также установлено, что перераспределение кислорода на границе γ-Al2O3/TiN вызывает искажение симметрии кристаллических единиц TiN вдоль выделенного преимущественного направления, вследствие чего образуется дипольный слой. Полученные результаты важны для понимания формирования энергетических барьеров для носителей тока в МДП-транзисторах, элементах зарядовой памяти.

Язык:
rus

Тематика:
Физика

Тип:
Дипломы

Банк знаний:
Научный корреспондент

Источник:
Санкт-Петербургский государственный университет




Я - автор

Вы можете подать заявку на авторство данного произведения, привязать его к своему аккаунту и выбрать правовой режим его использования.



Предложить изменения


Отправить претензию

Поделиться c друзьями: